Elektrokimyasal Büyütme Tekniğiyle Büyütülen Geçirgen NiO İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu [Pamukkale Univ Muh Bilim Derg]
Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. Baskıdaki Makaleler: PAJES-54926 | DOI: 10.5505/pajes.2017.54926  

Elektrokimyasal Büyütme Tekniğiyle Büyütülen Geçirgen NiO İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu

Kübra Çınar Demir
Atatürk Üniversitesi, Oltu Yerbilimleri Fakültesi, Maden Mühendisliği Bölümü

ITO altlık üzerine geçirgen NiO (nickel oxide) ince filmler farklı katodik akımlarda elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütüldü. Büyütme sonrası filmler 350 °C’de hava ortamında 2 saat tavlandı. X-ışını kırınım (XRD) örnekleri altlık üzerine büyütülen filmlerin (111), (200) ve (222) yönelimlere sahip tek fazlı kübik yapılı polikristal olduklarını gösterdi. Soğurma ölçümleriyle büyütülen NiO filmlerin band aralığı 2.85 eV olarak hesaplandı. 310-800 nm aralığında alınan Fotolüminesans (PL) ölçümlerinden NiO ince filmlerin üç emisyon pikine sahip olduğu görüldü. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile büyütülen filmlerin yüzey morfolojisi incelendi. Fourier Dönüşümlü infrared Spektroskopi (FTIR) analizleriyle filmlerin oluşumunda Ni-O bağların titreşim modlarına sahip olduğu ortaya çıkarıldı ve filmlerin görünür bölgede %50 ile %80 arasında ortalama bir optik geçirgenliğe sahip olduğu görüldü. XPS ölçümleri Ni/O yönelimi ve farklı büyütme koşullarına bağlı olarak büyütülen NiO filmlerin kimyasal bağlanma durumları gibi kimyasal özelliklerini incelemek için gerçekleştirildi. Raman ölçümleri elektrokimyasal olarak büyütülen NiO filmlerinin stokiyometrik olmadığını gösterdi. Farklı büyütme şartlarına bağlı olarak büyütülen Görüldüğü gibi, NiO nanoparçacıkların yoğunluğu ve morfolojisinin optoelektronik aygıtların oluşumunda oldukça önemli olduğu anlaşılmıştır.

Anahtar Kelimeler: NiO, XRD, Elektrokimyasal büyütme, SEM


Characterization and Preparation of Transparent NiO Thin Films Growth by Electrochemical Deposition Technique

Kübra Çınar Demir
1atatürk University, Oltu Earth Sciences Faculty, Department Of Mining Engineering

Transparent NiO thin films were growth in different cathodic currents by using electrochemical deposition technique on ITO substrates. After deposition, thin films were annealed at 350° for 2 hours in air environment. X-ray diffraction (XRD) patterns indicated that thin films growth on substrates have a single-phased cubic polycrystalline structure with orientations of (111), (200) and (222). Band gap of NiO films growth by using absorption measurements were calculated as 2.85 eV. The data obtained from the measurements of photoluminescence (PL) carried out between 310-800 nm, indicated that NiO thin films have three emission peaks. NiO thin films growth were investigated from the point of surface morphology by Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). It has been revealed that there are the vibrational modes of Ni-O bonds in the formation of the films with Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis and showed that the films have an average optical transmittance between 50% to 80% in the visible region. XPS measurements were studied to examine the chemical features as chemical bonding states of the NiO films deposited depending on Ni/O orientation and different conditions. Raman measurements displayed that the growth NiO films have not a stoichiometric nature. As seen, it has been understood that the density and morphology of NiO particles are very important in the formation optoelectronic devices.

Keywords: NiO, XRD, Electrochemical deposition, SEM




Sorumlu Yazar: Kübra Çınar Demir, Türkiye


ARAÇLAR
Düzeltilmemiş Tam Metin
Yazdır
Alıntıyı İndir
RIS
EndNote
BibTex
Medlars
Procite
Reference Manager
E-Postala
Paylaş
Yazara e-posta gönder

Benzer makaleler
Google Scholar


 
Creative Commons Lisansı
Bu dergi Creative Commons Al 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.


LookUs & Online Makale