Silar metodu ile hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özellikleri [Pamukkale Univ Muh Bilim Derg]
Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 2017; 23(7): 854-857 | DOI: 10.5505/pajes.2016.58672  

Silar metodu ile hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özellikleri

Doğan Özaslan1, Mustafa Güneş2, Cebrail Gümüş1
1Çukurova Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Adana, Türkiye
2Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Adana, Türkiye

Silar metodu kullanılarak 70 oC de cam alttabanlar üzerine polikristal Cu2O ince filmleri elde edildi. XRD analizleri filmlerin kübik yapıda olduğunu gösterdi ve örgü parametreleri hesaplandı. Filmlerin yüzey morfolojisi alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM) ile görüntülendi. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (% T) değerleri 300-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Yarıiletken Cu2O ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri % 50-70 olarak bulunmuştur. Filmlerin enerji bant aralığı değerleri (Eg) 2.53-2.62 eV bulundu.

Anahtar Kelimeler: Silar metodu, İnce film, Cu2O, Fiziksel özellikler


Physical properties of Cu2O thin films prepared by Silar method

Doğan Özaslan1, Mustafa Güneş2, Cebrail Gümüş1
1Cukurova University, Faculty of Science and Letters, Adana, Turkey
2Adana Science and Technology University, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Adana, Turkey

Polycrystalline Cu2O thin films were obtained on glass substrates using by silar method at 70 oC. XRD analysis showed the films are a cubic structure and lattice parameters were calculated. The surface morphology of the films were imaged by FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope). In order to determine the optical properties of the Cu2O thin films UV/vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (T %) values of the Cu2O films were determined in the wavelength range 300-1100 nm at room temperature. Semiconductor Cu2O of the thin films optical transmittance values were found to be % 50-70 in the visible region. Energy band gap values (Eg) of the films were found to be 2.53-2.62 eV.

Keywords: Silar method, Thin film, Cu2O, Physical properties


Doğan Özaslan, Mustafa Güneş, Cebrail Gümüş. Physical properties of Cu2O thin films prepared by Silar method. Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 2017; 23(7): 854-857

Sorumlu Yazar: Cebrail Gümüş, Türkiye


ARAÇLAR
Tam Metin PDF
Yazdır
Alıntıyı İndir
RIS
EndNote
BibTex
Medlars
Procite
Reference Manager
E-Postala
Paylaş
Yazara e-posta gönder

Benzer makaleler
Google Scholar


 
Creative Commons Lisansı
Bu dergi Creative Commons Al 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.


LookUs & Online Makale