GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ [Pamukkale Univ Muh Bilim Derg]
Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 1998; 4(1): 541-550

GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ

Mustafa TEMİZ1, Hakan ACER1
Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Denizli

GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir.

Anahtar Kelimeler: Galyum - Arsenit, Hapsedilen elektromanyetik alan, Propagasyon sabiti, Yarıiletkenlaser


THE STUDY OF ELECTROMAGNETIC PROPAGATION CONSTANT ON GaAs-BASED LASERS

Mustafa TEMİZ1, Hakan ACER1
Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Denizli

In the recent years the important of GaAs - based lasers has gradually increased. Injected current are confined, in the central region where the recombination of the carriers takes places in a semiconductor medium whose with is larger than height. The structures in forms of AlxGa1-xAs obtained by inserting Al in GaAs materials give the structure, whose lattices are almost identical constant, and the increased band gap and decreased index of refraction. These features give the possibilities of obtaining heterojunction structures formed with GaAs and AlxGa1-xAs, such as in semiconductor lasers, amplifying the electromagnetic energy, especially optical energy, and transmiting it by guiding in fiberglass. GaAs - based structures, especially lasers, are made very thin layers, (? 40-100 A o ). These quantum sizes are so small, comparable to the used wavelength and give special effects. Quantum - well structures result from these effects. In this work it is investigated the behaviour of electromagnetic wave guided in semiconductor layers and propagation constants.

Keywords: Gallium-Arsenide, Confined electromagnetic field, Propagation constant, Semiconductor laser


Mustafa TEMİZ, Hakan ACER. THE STUDY OF ELECTROMAGNETIC PROPAGATION CONSTANT ON GaAs-BASED LASERS. Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 1998; 4(1): 541-550


ARAÇLAR
Tam Metin PDF
Yazdır
Alıntıyı İndir
RIS
EndNote
BibTex
Medlars
Procite
Reference Manager
E-Postala
Paylaş


Benzer makaleler
Google Scholar


 
Creative Commons Lisansı
Bu dergi Creative Commons Al 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.


LookUs & Online Makale