E-ISSN: 2587-0351 | ISSN: 1300-2694
Pamukkale University Journal of Engineering Sciences PROBABILITY AND LOSS RATIOS IN SEMICONDUCTOR SINGLE STEP INDEX LASERS [Pamukkale Univ Muh Bilim Derg]
Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 2008; 14(3): 301-308

PROBABILITY AND LOSS RATIOS IN SEMICONDUCTOR SINGLE STEP INDEX LASERS

Mustafa TEMİZ1, Mehmet ÜNAL1, Özgür Önder KARAKILINÇ1
Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Mühendisligi Bölümü, 20020, Denizli

In this work, probability and loss ratios for least mode even and odd fields in the semiconductor single stepindex lasers with alpha method are theoretically have been studied and validities of novel found formulas are confirmed and compared with each other numerically: That the results for the least mode even and odd fields are also marginally different has been seen. These accurate differences on the asymmetric and symmetric cases have reflected to the quantities, such as normalized propagation constants, confinement factors depend on them, propagation constants of the regions, wave numbers are the same accuracy, has been understood in the numerical samples clearly. But, unless the refractive indices are changed, that phase constants, phase velocities, effective indices and energy levels of active region are the same has been evaluated.

Keywords: Normalized frequency, Normalized propagation constant, Effective refractive index.

YARI İLETKEN TEKLİ ADIM KIRILMA İNDİSLİ LAZERLERDE OLASILIK VE KAYIP ORANLARI

Mustafa TEMİZ1, Mehmet ÜNAL1, Özgür Önder KARAKILINÇ1
Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Mühendisligi Bölümü, 20020, Denizli

Bu çalısmada, yarıiletken tekli adım kırılma indisli lazerlerde en düsük modlu çift ve tek fonksiyonlu alanda olasılık ve kayıp oranları alfa yöntemi ile teorik olarak incelenmis ve bulunan yeni formüllerin dogrulukları nümerik olarak gerçeklenmis ve karsılastırılmıstır: En düsük modlu çift ve tek fonksiyonlu alana iliskin sonuçların az da olsa farklı oldukları görülmüstür. Çift ve tek fonksiyonlu alana ait bu hassas farklılıkların asimetrik ve simetrik durumlarda normalize yayılım sabitleri, bunlara baglı olarak hapsedicilik faktörleri, bölgelere ait yayılım sabitleri, dalga numaraları gibi büyüklüklere de aynı hassasiyetle yansıdıgı nümerik örneklerde açıkça görülmektedir. Fakat faz sabitleri, faz hızları, efektif indis ve aktif bölgenin enerji seviyelerinin, bölgelerin kırılma indisleri aynı kaldıgı sürece, degismedigi gözlenmistir.

Anahtar Kelimeler: Normalize frekans, Normalize yayılım sabiti, Efektif kırılma indisi.

Mustafa TEMİZ, Mehmet ÜNAL, Özgür Önder KARAKILINÇ. PROBABILITY AND LOSS RATIOS IN SEMICONDUCTOR SINGLE STEP INDEX LASERS. Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 2008; 14(3): 301-308
Manuscript Language: Turkish
LookUs & Online Makale