Pamukkale Univ Muh Bilim Derg. 2017; 23(7): 854-857 | DOI: 10.5505/pajes.2016.58672

Silar metodu ile hazýrlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özellikleri

Doðan Özaslan¹, Mustafa Güneþ², Cebrail Gümüþ^1
1Çukurova Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Adana, Türkiye
²Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi, Mühendislik ve Doða Bilimleri Fakültesi, Adana, Türkiye

Silar metodu kullanýlarak 70 oC de cam alttabanlar üzerine polikristal Cu2O ince filmleri elde edildi. XRD analizleri filmlerin kübik yapýda olduðunu gösterdi ve örgü parametreleri hesaplandý. Filmlerin yüzey morfolojisi alan emisyonlu taramalý elektron mikroskobu (FE-SEM) ile görüntülendi. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanýlmýþtýr. Filmlerin oda sýcaklýðýndaki optik geçirgenlik (% T) deðerleri 300-1100 nm dalga boyu aralýðýnda belirlenmiþtir. Yarýiletken Cu2O ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik deðerleri % 50-70 olarak bulunmuþtur. Filmlerin enerji bant aralýðý deðerleri (Eg) 2.53-2.62 eV bulundu.

Anahtar Kelimeler: Silar metodu, Ýnce film, Cu2O, Fiziksel özellikler

---

Physical properties of Cu2O thin films prepared by Silar method

Doðan Özaslan¹, Mustafa Güneþ², Cebrail Gümüþ^1
1Cukurova University, Faculty of Science and Letters, Adana, Turkey
²Adana Science and Technology University, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Adana, Turkey

Polycrystalline Cu2O thin films were obtained on glass substrates using by silar method at 70 oC. XRD analysis showed the films are a cubic structure and lattice parameters were calculated. The surface morphology of the films were imaged by FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope). In order to determine the optical properties of the Cu2O thin films UV/vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (T %) values of the Cu2O films were determined in the wavelength range 300-1100 nm at room temperature. Semiconductor Cu2O of the thin films optical transmittance values were found to be % 50-70 in the visible region. Energy band gap values (Eg) of the films were found to be 2.53-2.62 eV.

Keywords: Silar method, Thin film, Cu2O, Physical properties

---

ATIF KOPYALA